သန့်ရှင်းသောအခန်းတွင် အပူချိန်နှင့် လေဖိအားထိန်းချုပ်မှု

အထူးသဖြင့် အခိုးအငွေ့များ တိုးလာသဖြင့် သဘာဝပတ်ဝန်းကျင် ထိန်းသိမ်းရေးကို ပိုမိုအာရုံစိုက်လာကြသည်။ Clean room engineering သည် ပတ်ဝန်းကျင် ကာကွယ်ရေး အစီအမံများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ပတ်ဝန်းကျင် ထိန်းသိမ်းရေးမှာ ကောင်းကောင်း အလုပ်ကောင်းကောင်း လုပ်နိုင်ဖို့ Clean Room Engineering ကို ဘယ်လို သုံးမလဲ။ Clean Room Engineering မှာ ထိန်းချုပ်မှုအကြောင်း ပြောကြရအောင်။

သန့်ရှင်းသောအခန်းတွင် အပူချိန်နှင့် စိုထိုင်းဆကို ထိန်းချုပ်ပါ။

သန့်ရှင်းသောနေရာများ၏ အပူချိန်နှင့် စိုထိုင်းဆကို လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များအပေါ် အခြေခံ၍ အဓိကအားဖြင့် ဆုံးဖြတ်သော်လည်း လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသည့်အခါတွင်၊ လူသားများ၏ သက်တောင့်သက်သာရှိမှုကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားသင့်သည်။ လေသန့်စင်မှုလိုအပ်ချက်များ ပိုမိုကောင်းမွန်လာခြင်းကြောင့် လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အပူချိန်နှင့် စိုထိုင်းဆအတွက် တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များ ရှိလာပါသည်။

ယေဘူယျနိယာမအရ၊ တိုးမြှင့်လုပ်ဆောင်ခြင်း၏တိကျမှုကြောင့်၊ အပူချိန်အတက်အကျအကွာအဝေးအတွက် လိုအပ်ချက်များသည် သေးငယ်လာပြီး သေးငယ်လာသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ကြီးမားသောပေါင်းစပ် circuit ထုတ်လုပ်မှု၏ lithography နှင့် exposure လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ mask ပစ္စည်းများအဖြစ်အသုံးပြုသော glass နှင့် silicon wafers များကြားတွင် အပူချဲ့ coefficient ကွာခြားမှုသည် သေးငယ်လာသည်။

အချင်း 100 µ m ရှိသော ဆီလီကွန် wafer သည် အပူချိန် 1 ဒီဂရီ တက်လာသောအခါ linear expansion သည် 0.24 μ m ကို ဖြစ်စေသည်။ ထို့ကြောင့်၊ အဆက်မပြတ်အပူချိန် ± 0.1 ℃ လိုအပ်ပြီး ချွေးထွက်ပြီးနောက် ထုတ်ကုန်သည် အထူးသဖြင့် ဆိုဒီယမ်ကြောက်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အလုပ်ရုံများတွင် ညစ်ညမ်းသွားသောကြောင့် စိုထိုင်းဆတန်ဖိုးသည် ယေဘုယျအားဖြင့် နည်းပါသည်။ ဤအလုပ်ရုံအမျိုးအစားသည် 25 ℃ထက်မပိုသင့်ပါ။

စိုထိုင်းဆများလွန်းခြင်းသည် ပြဿနာများကို ပိုဖြစ်စေသည်။ နှိုင်းရစိုထိုင်းဆ 55% ကျော်လွန်သောအခါ အအေးခံရေပိုက်နံရံတွင် ငွေ့ရည်ဖွဲ့မှု ဖြစ်ပေါ်လိမ့်မည်။ တိကျသောကိရိယာများ သို့မဟုတ် ဆားကစ်များတွင် ဖြစ်ပေါ်ပါက မတော်တဆမှုအမျိုးမျိုးကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ နှိုင်းရစိုထိုင်းဆ 50% သည် သံချေးတက်လွယ်သည်။ ထို့အပြင်၊ စိုထိုင်းဆများလွန်းသောအခါ၊ ဆီလီကွန် wafer ၏ မျက်နှာပြင်တွင် ကပ်နေသော အမှုန်အမွှားများသည် ဖယ်ရှားရခက်ခဲသည့် လေထဲတွင် ရေမော်လီကျူးများမှတစ်ဆင့် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် စုပ်ယူနိုင်မည်ဖြစ်သည်။

နှိုင်းရစိုထိုင်းဆ မြင့်မားလေ၊ ကပ်ငြိမှုကို ဖယ်ရှားရန် ခက်ခဲလေဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ နှိုင်းရစိုထိုင်းဆ 30% အောက်တွင်ရှိသော အမှုန်များကို electrostatic force ကြောင့် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အလွယ်တကူ စုပ်ယူနိုင်ပြီး semiconductor ကိရိယာ အများအပြား ပြိုကွဲနိုင်ခြေများပါသည်။ ဆီလီကွန် wafer ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အကောင်းဆုံးအပူချိန်မှာ 35-45% ဖြစ်သည်။

လေဖိအားထိန်းချုပ်မှုသန့်ရှင်းသောအခန်းတွင် 

သန့်ရှင်းသောနေရာအများစုအတွက်၊ ပြင်ပလေထုညစ်ညမ်းမှုမှ ကျူးကျော်ဝင်ရောက်ခြင်းမှ ကာကွယ်ရန်၊ အတွင်းပိုင်းဖိအား (static pressure) ကို ပြင်ပဖိအား (static pressure) ထက် ပိုမိုမြင့်မားစွာ ထိန်းသိမ်းထားရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဖိအားကွာခြားမှုကို ထိန်းသိမ်းခြင်းသည် ယေဘူယျအားဖြင့် အောက်ပါမူများကို လိုက်နာသင့်သည်-

1. သန့်ရှင်းသောနေရာများတွင် ဖိအားသည် မသန့်ရှင်းသောနေရာများတွင် ထိုထက်ပိုမိုမြင့်မားသင့်သည်။

2. သန့်ရှင်းမှုအဆင့်မြင့်မားသောနေရာများတွင် ဖိအားသည် သန့်ရှင်းမှုနည်းပါးသော ကပ်လျက်နေရာများတွင် ထိုထက်ပိုမိုမြင့်မားသင့်သည်။

3. သန့်ရှင်းသောအခန်းများကြားရှိ တံခါးများကို သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသောအခန်းများဆီသို့ ဖွင့်သင့်သည်။

ဖိအားကွာခြားမှုကို ထိန်းသိမ်းခြင်းသည် လေကောင်းလေသန့် ပမာဏအပေါ် မူတည်ပြီး ဤဖိအားကွာခြားမှုအောက်ရှိ ကွာဟမှုမှ လေယိုစိမ့်မှုများအတွက် လျော်ကြေးပေးနိုင်မည့် လတ်ဆတ်သောလေပမာဏအပေါ် မူတည်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဖိအားကွာခြားမှု၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အဓိပ္ပာယ်မှာ သန့်ရှင်းသောအခန်းရှိ ကွာဟချက်အမျိုးမျိုးမှ လေ၀င်ပေါက်ခြင်း (သို့) စိမ့်ဝင်မှု၏ ခံနိုင်ရည်ဖြစ်သည်။